AI电源+先进封装打开第二增长极，8英寸衬底全面紧缺驱动周期反转

M0三分钟看懂碳化硅

关键数字

生命周期坐标

景气周期坐标

核心跟踪指标

M1行业本质：这是一门什么生意

小白地图：碳化硅产业链的核心产品是SiC衬底（一块高纯度的碳化硅晶体薄片），在此基础上经过外延、光刻、刻蚀等工艺制成SiC功率器件（MOSFET、二极管等），最终用在电动车逆变器、充电桩、光伏逆变器、AI数据中心电源等设备中。一句话商业模式：衬底厂从设备厂买来长晶炉"种"出碳化硅晶体，切成衬底片卖给外延/器件厂，器件厂做出功率芯片卖给终端客户（车企/电网/AI算力公司）。

下游需求结构：按应用场景拆分，新能源汽车主驱逆变器占比约55%（2025年），是基本盘；光伏/储能逆变器约20%；工业电源/工控约15%；消费电子约10%。边际增量来自AI数据中心800V HVDC电源架构（英伟达Rubin将全面采用），2026-2030年有望从不足5%提升至30%+。边际增量是定价权重最高的部分——市场炒的通常是变化量，不是存量。

量价拆分：过去3年行业收入增长中，量的贡献约占70%（新能源车渗透率从5%→17%），价的贡献约30%（SiC器件ASP随衬底降价而下降，但模块价值量在提升）。未来5年，量驱动将转为"新能源车+AI电源"双轮，价驱动将来自8英寸→12英寸升级带来的单位成本下降和新应用场景的高ASP（12英寸衬底单价超10万元，是8寸的15倍+）。

这门生意赚的是哪种钱？双重属性——成长的钱（SiC器件渗透率从17%→50%是确定性最高的量增逻辑，市场用PEG、远期空间折现定价）+ 格局的钱（8英寸衬底全球仅天岳先进、Coherent等3-4家能量产，壁垒来自长晶工艺know-how+设备自研能力+客户认证周期3年+，格局集中度极高，市场用PB-ROE和份额溢价定价）。

M2产业链与利润分配：钱被谁赚走了

利润池分析：碳化硅全产业链一年的利润总盘子约15-20亿美元（2025年，含亏损企业拖累）。各环节利润占比：衬底约35-40%（天岳先进毛利率从2025Q4的-5.89%回升至2026Q1的19.12%，头部企业毛利率可达30%+）、外延约15-20%、器件约35-40%（英飞凌SiC器件毛利率约50%）、设备约10%。

议价权来源：衬底环节拥有最强议价权——① 技术垄断：长晶工艺需要精确控制温度梯度（2000°C+）、生长速率和缺陷密度，全球仅3-4家能稳定量产8英寸；② 认证壁垒：车规级衬底从送样到量产需2-3年，替换成本极高；③ 设备自研：天岳/晶盛均自研长晶炉，设备成本比外购低40-50%。

利润迁移方向：利润正在从6英寸衬底（同质化严重、价格战激烈）向8英寸和12英寸衬底迁移（技术壁垒高、供不应求、溢价明显）。6英寸衬底已从1000美元/片降至不到400美元/片，多数企业亏损；8英寸衬底6500元/片仍有15-20%涨价空间；12英寸衬底单价超10万元/片，处于超额利润阶段。驱动机制：8英寸器件厂产线改造性价比高（存量硅产线可复用），而12英寸面向AR眼镜和先进封装等全新应用场景。

M3竞争格局与玩家拆解：牌桌上坐着谁

A. 整体格局

衬底环节：全球碳化硅衬底市场呈"一超多强"格局。2025年按出货量计，天岳先进以27.6%市占率全球第一（6英寸），8英寸衬底全球市占率约60%。Coherent（原II-VI）约18%，Wolfspeed（已于2025年6月破产重组，被瑞萨收购）约15%（份额持续下滑），天科合达约12%。行业集中度CR3约60%，且仍在提升中。

器件环节：全球SiC功率器件呈"寡头垄断"格局。英飞凌在800V HVDC系统SiC器件份额达80-90%（当前尚未大规模量产），220V PSU领域英飞凌约40%、意法/安森美各约10%。国内器件厂（芯联集成、士兰微、斯达半导）份额快速提升但整体仍偏小。

B. 竞争的本质

碳化硅衬底行业靠长晶工艺+设备自研+客户认证三要素打赢：① 长晶工艺know-how（温度梯度、生长速率、缺陷控制），决定了良率和成本；② 设备自研能力（天岳/晶盛均自研长晶炉），设备成本比外购低40-50%，且迭代速度更快；③ 客户认证周期（车规级2-3年，工业级1-2年），形成高替换壁垒。器件环节则靠工艺平台+客户绑定打赢：英飞凌的Trench MOSFET工艺领先1-2代，且在英伟达AVL白名单中地位难以替代。

C. 主要玩家逐家拆解

D. 价格战与出清

2023-2025年碳化硅行业经历了惨烈的价格战：6英寸衬底从1000美元/片暴跌至不到400美元/片，多数企业亏损。出清已经开始：① Wolfspeed（全球第二大SiC衬底厂）2025年6月破产重组，被瑞萨收购后产能内供不再外销；② 国内三四线衬底厂因持续亏损陆续退出；③ 8英寸扩产需要巨额资本开支（一条产线投入超10亿元），新进入者门槛大幅提升。2026年3月起，行业全面缺货，毛利率从不足15%回升至20%+，涨价周期已启动。

E. 海外镜像对标

参考全球功率半导体产业发展路径：英飞凌/意法在硅基IGBT领域经过20年竞争，CR3从40%提升至70%+，行业出清后龙头毛利率稳定在40-50%。碳化硅行业正在加速重演这一路径——Wolfspeed破产是标志性事件，预示着全球SiC衬底CR3将从当前60%进一步提升至75%+。不同之处在于：中国企业在SiC领域的份额提升速度远快于当年在IGBT领域，原因是设备自研+政策扶持+下游新能源车本土需求拉动。

M4供需与周期定位：现在站在周期的哪里

先给小白一句周期常识：碳化硅衬底行业的盈利不是直线，而是"需求爆发 → 缺货涨价 → 大规模扩产 → 产能释放 → 供过于求 → 价格暴跌 → 企业亏损出清 → 新一轮缺货"的循环。2023-2025年行业刚经历了"供过于求→价格暴跌→出清"的下行阶段，2026年3月起进入"缺货涨价→复苏"的上行阶段。

供给端

6英寸衬底：全球月产能约25-30万片（2025年），产能相对充足但头部企业已开始主动减产（天岳先进有减产规划），三线四线厂商因亏损陆续退出。有效供给在收缩。

8英寸衬底：全球月产能仅约6万片（2026年初），高度集中于天岳先进（约60%份额）、Coherent等少数玩家。扩产需要18-24个月的建设周期+6-12个月的良率爬坡。晶盛机电规划90万片年产能（国内）+24万片（马来），但预计2026年底才能逐步释放。

12英寸衬底：全球仅天岳先进、晶盛机电等2-3家具备中试线能力，月产能不足1000片，良率仍较低。主要面向AR眼镜和先进封装中介层，尚处测试阶段。

资本开支（领先指标）：天岳先进临港二期+马来工厂、晶盛机电银川60万片项目、士兰微8英寸SiC线等大规模扩产计划总投资超200亿元，但建设周期18-24个月，2027年下半年之前难以形成有效供给。

需求端

新能源车（基本盘）：2025年中国NEV主驱SiC渗透率17-18%，天岳先进预计两年内提升至50%。随着SiC器件向15万元以下车型下沉，需求量将大幅提升。2026年全球NEV对SiC衬底需求预计约400-500万片（6寸等效）。

AI数据中心（爆发增量）：英伟达Rubin架构全面采用800V HVDC，单GW HVDC方案需约4.8万片6英寸或2.6万片8英寸SiC。按Rubin年出货10万柜（6-10GW）测算，对应SiC衬底需求约16-26万片8英寸。2026年3月起器件已涨价10%+，部分芯片交期超30周。

先进封装/AR眼镜（远期增量）：台积电CoWoS封装2026下半年有望采用SiC取代TIM层；12英寸SiC衬底面向AR眼镜光波导（Meta Orion已采用）和先进封装中介层，远期需求潜力巨大但短期量级仍小。

供需平衡表

库存周期与价格机制

库存周期：当前处于主动补库阶段——下游器件厂因8英寸缺货主动加大采购力度，衬底厂满产运行但产出仍无法满足需求。天岳先进2025年下半年起维持满产，2026年订单充足、能见度高。

价格机制：8英寸衬底价格从2026年初5500元/片涨至4月份6500元/片（+18%），6英寸衬底从2700元涨至3000元（+11%）。当前价格处于成本曲线的75-85分位（头部企业毛利率20%+），意味着行业盈利弹性充裕但尚未达到超额利润阶段。若8英寸价格突破8000元/片（90分位），将触发大规模扩产意愿。

M5空间测算：天花板有多高（三情景）

测算公式：碳化硅器件市场规模 = NEV主驱SiC渗透率 × 新能源车产量 × 单车SiC价值量 + AI数据中心SiC渗透率 × 数据中心电源TAM × SiC占比 + 光伏/储能/工控传统市场 × SiC渗透率 + 先进封装/AR眼镜新应用市场。

公式里每个参数的取值依据：

三情景测算

敏感性分析：对中性情景规模影响最大的参数是"AI数据中心SiC器件TAM"，该参数±30%时2030年市场规模在108-140亿美元之间波动（偏离±13%）。第二敏感参数是NEV渗透率（±10%对应规模偏离±8%）。

价格通缩风险：8英寸衬底价格预计2027年降至相对合理位置（器件厂口径），但AI新应用场景（HVDC、CoWoS）的ASP显著高于传统车载，可部分对冲价格下行。12英寸衬底单价超10万元（台积电目标价4000美元/片），若规模化量产将打开全新的价值空间。

M6估值水位与市场热度：市场现在站在哪里

估值水位

碳化硅行业暂无纯SiC概念指数，以核心标的估值代替：

相对全市场：碳化硅核心标的平均PE(TTM)约60-80倍，相对沪深300溢价率约300-400%，处于近3年中等偏低位置。结构提示：天岳先进PE因2025年亏损而失真，需切换至PS口径或2026E盈利预测估值。

市场热度仪表盘

热度收口：当前处于"充分关注→局部拥挤"状态。卖方研报数量和ETF份额均处历史高位，说明市场对碳化硅+AI电源叙事的关注度已较充分，短期存在交易拥挤风险。但换手率尚在合理区间，核心标的筹码锁定性较好。

共识叙事与预期差

多头故事：AI是碳化硅的"第二增长极"，800V HVDC+SST+CoWoS+AR眼镜四大新应用将打开从300亿到2000亿+的非线性增量空间；Wolfspeed破产标志着全球供应链主导权向中国转移；8英寸衬底全面紧缺，涨价周期已启动。

空头故事：AI数据中心对SiC需求"远期有但短期没量"（摩根大通：2028年仅4-5亿美元）；8英寸衬底扩产潮2027年释放后将再次过剩；碳化硅在数据中心面临英飞凌/安森美白名单壁垒，国产器件厂短期难以突破。

多空分歧焦点变量：AI数据中心SiC器件的实际放量速度——恰好对应M0核心抓手之一。

分析师观点汇总 （市场声音，非本报告结论）

下表如实记录外部分析师近期观点，含评级与目标价。观点来源已标注，不代表本报告立场。注：新财富电子/半导体行业2025年榜单未在公开渠道获取完整排名，以下标注基于研报影响力与机构引用频次。

观点分布收口：10位分析师/专家中，8位看多（产业反转+AI催化）、1位中性偏乐观（摩根大通）、1位产业确认反转。分歧焦点在AI数据中心SiC需求放量速度——内资普遍乐观（2026年已有量），外资谨慎（2028年才有显著贡献）。

M7跟踪体系：变量、日历与证伪

核心判断汇总

核心抓手跟踪卡

事件日历（未来6-12个月）

• 2026-07英飞凌FY2026Q3财报验证：AI电源SiC放量 · 届时看：Power分部SiC器件收入增速
• 2026-08天岳先进中报验证：8英寸出货占比提升 · 届时看：8英寸出货量占比是否达50%
• 2026-Q3台积电CoWoS SiC TIM层方案确认验证：先进封装SiC应用落地 · 届时看：是否正式导入量产
• 2026-Q4晶盛机电马来工厂通线验证：海外产能释放 · 届时看：通线后良率和出货爬坡速度
• 2027-H1英伟达Rubin首批出货验证：800V HVDC对SiC的实际拉动力度 · 届时看：单柜SiC用量和供应商份额
• 2027-H2晶盛银川60万片产能达产验证：8英寸供给释放 · 届时看：供需缺口是否收窄至-20%以内

证伪条件

主要上市公司图谱（含卖方盈利预测与评级）

以下盈利预测和评级来自外部分析师研报，仅供参考，不代表本报告观点。

附参考资料与数据源

主要研报参考

以下为本报告引用的核心研报，按相关性排序。完整列表共60+篇，此处列出直接引用数据或观点的30篇。

路演纪要与专家观点

数据源说明

本报告由 QoderWork 行业深度研究引擎（v2.1）自动生成，数据采集截止 2026-06-19。报告中的盈利预测和评级均来自外部分析师研报原文，不代表南方基金或本报告生成方的观点。所有数据为生成时点静态快照，不构成任何投资建议。